华夏芯谷14nm研发中心的灯光，与EUV实验室的孤勇之光不同，这里的光芒密集而灼热。

数百台伺服器组成的计算集群昼夜不休，散热风扇的轰鸣交织成一首沉闷的战歌，屏幕上滚动的晶片设计图丶仿真曲线和良率分析报告，构成了这场「螺蛳壳里做道场」攻坚战的核心战场。

梁志远的眼睛布满血丝，下巴上冒出了青色的胡茬。

他将一件厚厚的冲锋衣搭在椅背上，手里攥着一份刚列印出来的DTCO仿真报告，指节因用力而微微发白。

「章宸博士，你看这里。」

他对着视频通话界面挥手，将报告凑近摄像头，

「按照我们『设计换良率』的思路，把高性能CPU核心和部分缓存拆分，通过Chiplet集成，仿真良率从18%提升到了35%，但电晶体漏电率超标了12%，而且芯粒间的互联延迟比预期高了5纳秒。这性能损失……太大了。」

视频那头的章宸同样面色憔悴，他身后的白板上写满了关于FinFET鳍片宽度与栅氧厚度的复杂公式。

「漏电率问题出在DUV多重图形的掺杂工艺上，」

章宸的手指在触控板上滑动，调出一份三维电晶体结构图，

「三重图形导致的离子注入深度不均匀，我们之前的仿真模型低估了这种边缘效应。我建议，将鳍式场效应电晶体（FinFET）的栅极长度从14nm微调至14.5nm，牺牲一点极致性能，换取漏电率的显着下降。你让团队按这个新结构重新跑仿真。」

「牺牲性能？」

旁边一位年轻工程师忍不住插话，他叫陈默，是「星火计划」的优秀学员，脸上带着对极致性能的执着，

「章博士，这样一来，我们的CPU单核频率会不会比水果的W3晶片差太多？市场能接受吗？」

章宸看着屏幕里的年轻人，眼神温和却坚定：

「陈默，我们现在的首要目标是『能造出来丶能量产』。14nm工艺对我们而言，是从0到1的生死线，不是和巨头在极限性能上赛跑的舞台。先解决有无，再谈优劣。等良率稳定了，我们可以通过架构优化丶甚至下一代工艺把性能追回来，但良率上不去，一切都是空谈。」

梁志远拍了拍陈默的肩膀：

「章博士说得对。用DUV走多重图形，本身就是逆流而上，我们必须学会妥协，在性能丶功耗丶良率这个『不可能三角』里，找到属于我们自己的最佳平衡点。」

陈默深吸一口气，点了点头，立刻转身投入到仿真参数的调整中。实验室里再次只剩下键盘敲击声和伺服器风扇的嗡鸣。

几个小时后，新的仿真结果出来了：漏电率下降至标准范围内，互联延迟通过优化C-CIS传输协议，压缩到了3.2纳秒，良率仿真数据定格在42%。

「有进展！」

团队里响起一阵压抑的欢呼。梁志远却不敢放松：

「42%还不够，距离量产所需的60%良率还有巨大差距。我们必须找到影响良率的关键瓶颈。」

他打开良率分析系统，调出电晶体失效分布图，屏幕上红色的失效热点，如同刺眼的警告，主要集中在CPU核心的栅极区域和芯粒互联的微焊盘处。

「栅极区域的失效，根子在光刻胶。」

一位工艺工程师分析道，

「我们现在用的国产光刻胶，在14nm节点的线宽均匀性和边缘粗糙度上，经过三次曝光后，还是差了口气。」

「互联焊盘的问题，在于DUV多重图形导致的层间对准误差累积。」

另一位封装专家补充，

「每次曝光都有纳米级的偏差，叠加上去，焊盘的共面性就超标了，直接影响信号完整性和连接可靠性。」

两个核心问题，如同两只拦路虎，让实验室的气氛再次凝重。

梁志远立刻拨通了林薇的电话，语速急促：

「林总，我们被卡住了：一是14nm级光刻胶的线宽均匀性，二是多重图形的层间对准误差。需要供应链和工艺团队的紧急支援！」

林薇那边的背景音同样嘈杂：

「光刻胶，『火炬』攻坚组联合沪市化学所研发的新一代产品刚完成中试，样品明天空运到芯谷。对准误差，华科院自动化所开发的基于『小芯』AI算法的视觉对准系统已通过验证，我让他们技术团队下午就带原型机过来对接！」

支援来得如此之快，让团队精神一振。

下午，AI视觉对准系统抵达。调试丶连接丶模拟曝光……当第一组检测数据跳出时，负责封装的工程师兴奋地挥拳：

「层间对准误差从4.2纳米降至1.8纳米！互联焊盘的失效热点预计能减少一半以上！」

第二天，新一代光刻胶送抵。工艺团队立刻启动验证流程。

显微镜下，经过三次曝光丶显影丶刻蚀后的栅极图形边缘清晰丶整齐，那令人头痛的锯齿状缺陷消失了！

「所有障碍已扫清，启动第一次工程流片！」

梁志远下达指令，整个研发中心的气氛瞬间绷紧至极限。

晶圆在产线上流转，光刻丶刻蚀丶离子注入丶薄膜沉积丶化学机械抛光……每一道工序都牵动着所有人的心。

三天后，首批20片工程样片完成，被送入测试实验室。

探针台下，数据开始跳动。